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低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。瓷片电容相对正式的称谓是圆片瓷介电容器，是用陶瓷粉模压成型，然后烧结而成。深圳直销瓷片电容信赖推荐

过压(电压超过额定电压)，当瓷片电容上所施加电压高于额定工作电压时，电容器的漏电流将上升，其电氧物性将在短期内劣化直至损坏。4，施加反向电压或交流电压，当直流铝电解电容器按反极性接入电路时，电容器会导致电子线路短路，由此产生的电流会引致电容器损坏，若电路中有可能在负引线施加正极电压，选用无极性电容器。5，使用于反复多次急剧充放电的电路中，如快速充电用途，其使用寿命可能会因为容量下降，温度急剧上升等而缩减。6，在直接与水，盐水，油类相接触或结露的环境，充满有害气体的环境(硫化物)，直接日光照射，臭氧，紫外线及有放射性物质的环境，振动及冲击条件超过了样本及说明书规定范围的恶劣环境下，禁止使用电容器。深圳优良瓷片电容信赖推荐具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

瓷片电容制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）缺点：易碎！容量低用途：高频震荡、谐振、退耦、音响。2、独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响。在要求不严格的场合上，这些电容可以互换。每种电容都有各自的特点：独石电容比较稳定，问温漂系数小，电容值可以做到1uF，寿命长，等效直流电阻小，价格稍贵。瓷片电容的高频特性好，但电容值比较大只能做到0.1uF。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种。独石电容和瓷片电容都无正负极之分。只有电解电容器才有正负极之分。电解电容器在外壳上是注明了+或者-负极的。过去电容器是用长脚的为正。这种标识不科学，现在已经不采用了。独石电容比较大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.

高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不大，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。 以金属钽或铌为正极，稀硫酸等溶液为负极，以钽或铌表面形成的氧化膜为电介质。

瓷片电容的特点：耐磨直流高压运用：高压旁路和耦合电路使用范围：LED驱动电源，小家电控制板，新能源充电器，开关电源，电视接收机，扫描等电路。产品通过：CQC/KC/UL/VED/ENEC等认证。测试条件：频率与电压：1kHz1.0v测试温度：25℃±2℃静电容量：1000PF静电容量误差：±20%温度特性：Y5V工作电流：《5mA工作温度：-40℃±85℃频率与电压：1kHz1.0v测试温度：25℃±2℃静电容量：1000PF静电容量误差：±20%温度特性：Y5V工作电流：《5mA工作温度：-40℃±85℃电性能稳定，温度影响较小。广东优良瓷片电容多少钱

高压瓷片电容相信接触过电容器的人都很熟悉。深圳直销瓷片电容信赖推荐

瓷片电容相对正式的称谓是圆片瓷介电容器，是用陶瓷粉模压成型，然后烧结而成。(陶瓷又分I类瓷，II类瓷，III类瓷)单片瓷，单层结构，一般纽扣大小，带两根引脚。正因为单层结构，瓷片电容器，一般容量不大，但电压高。陶瓷电容：用高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡一氧化钛)挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。独石电容和瓷片电容都属于陶瓷电容，陶瓷电容是总称。深圳直销瓷片电容信赖推荐

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